件中,加上市场对产品设计不断提出苛刻要求,半导体产品在设计阶段加入可靠性的概念和在生产阶段减
少变量就成为十分必要的要求。
应用对象 | 试验目的 | 试验条件 | 参考标准 |
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半导体产业 | 偏压湿热试验 | 85℃,85%RH,试验时间1000h | JESD22-A101 |
高加速应力试验 | 133℃,85%RH,偏压250Kpa,试验时间96h | JESD22-A110 | |
无偏呀高加速应力试验 | 110℃,85%RH。试验时间264h | JESD22-A118 | |
高压蒸煮试验 | 121℃,100%RH,试验时间96h | JESD22-A101 | |
分立器件 | 寿命试验 | ≥125℃,试验时间48-168h | JESD22-A108 |
高温反偏试验 | 125℃,150℃或175℃,试验时间168h,500h,1000h | JESD22-A108 | |
高温栅偏试验 | 150℃或175℃,试验时间500h,1000h | JESD22-A108 | |
早期失效等级测试 | 早期失效等级测试 | JESD22-A108-A ElAJED-4701-D101 | |
光电器件 | 高/低温操作生命期试验 | 125℃条件下1000小时测试持续使用4年,2000小时测试持续使用8年 | MIT-STD-883E JESD22-A108-A |
加速式温湿度及偏压测试 | 85℃,85%RH | JESD22-A101-D | |
高加速温湿度及偏压测试 | 130℃,85%RH,相应压力 | JESD22-A110 | |
高压蒸煮试验 | 130℃,85%RH,相应压力 | JESD22-A102 | |
传感器 | 高低温循环试验 | Condition A:-55℃ to 125℃ Condition B:-65℃ to 150℃ | MIT-STD-883E JESD22-A104-A |
高低温冲击试验 | Condition A:-55℃ to 125℃ Condition B:-65℃ to 150℃ | MIT-STD-883E JESD22-B106 | |
高温储存试验 | 150℃ | MIT-STD-883E JESD22-B103 | |
焊接热量耐久测试 | 侵入260℃锡盆中10秒 | MIT-STD-883E |